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ZPT034B
ZPT034B 是一种高速、高灵敏度的 NPN 硅光电晶体管，在标准的φ3 毫米 封装中成型。 由于其黑色环氧，该装置对可见光和近红外辐射敏感。
The ZPT034B is a high speed and high sensitive NPN silicon phototransistor molded in a standard φ3 mm package.Due to its black epoxy the device is sensitive to visible and near infrared radiation.
特性 Feature
--感应速度快、感光度强
Fast response time 、High photo sensitivity
--无铅材料、RoHS 认证
Pb.Free 、RoHS compliant version
应用 Application
--红外应用系统、光电开关、复印机、扫描仪、洗衣机
Infrared applied system 、Optoelectronic switch 、Copiers 、Scanners 、Amusement machines
产品尺寸 Package Dimension
光电特性 Electro-Optical Characteristics
|
电性参数（温度=25℃) Parameter（Ta=25℃) |
符号 Symbol |
条件 Condition |
最小值 Min. |
典型值 Typ. |
最大值 Max. |
单位 Units |
|
集电极-发射极的击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage |
BVCEO |
IC= 100μA Ee=0mW/cm2 |
30 |
-- |
-- |
V |
|
发射极-集电极的击穿电压 Emitter-Collector Breakdown Voltage |
BVECO |
IC= 100μA Ee=0mW/cm2 |
5 |
-- |
-- |
V |
|
集电极-发射极的工作电压 Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
IC=2mA Ee=1mW/cm2 |
-- |
-- |
0.4 |
V |
|
上升时间 Rise Time |
tr |
VCE=5V IC= 1mA RL= 1000Ω |
-- |
15 |
-- |
μS |
|
下降时间 Fall Time |
tf |
-- |
15 |
-- |
||
|
集电极暗电流 Collector Dark Current |
ICEO |
Ee=0mW/cm2 VCE=20V |
-- |
-- |
100 |
nA |
|
集电极电流 On State Collector Current |
IC(ON) |
Ee=1mW/cm2 VCE=5V |
0.95 |
-- |
4.85 |
mA |
|
感应波长范围 Rang of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
-- |
760 |
-- |
1100 |
nm |
|
峰值感应波长 Wavelength of Peak Sensitivity |
λP |
-- |
-- |
940 |
-- |
nm |
最大额定值 Absolute Maximum Ratings
|
测试项目 Parameter（Ta=25℃) |
符合 Symbol |
范围 Ratings |
单位 Unit |
|
最大功率 Power Dissipation *1 |
Pd |
75 |
mW |
|
集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
30 |
V |
|
发射极-集电极电压 Emitter-Collector Voltage |
VECO |
5 |
V |
|
集电极电流 Collector Current |
IC(ON) |
20 |
mA |
|
工作温度 Operating Temperature |
Topr |
-25~+85 |
℃ |
|
储存温度 Storage Temperature |
Tstg |
-40~+100 |
℃ |
|
焊接温度 Lead Soldering Temperature*2 |
Tsol |
260 |
℃ |
*1 、 在 25 摄氏度的环境中测试 below 25 Free Air Temperature *2 、离胶体 2mm 以上焊接 5s 内 2mm form body for 5 seconds
|
性参数（温度=25℃) Parameter（Ta=25℃) |
符号 Symbol |
条件 Condition |
最小值 Min. |
典型值 Typ. |
最大值 Max. |
单位 Units |
|
集电极-发射极的击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage |
BVCEO |
IC= 100μA Ee=0mW/cm2 |
30 |
-- |
-- |
V |
|
发射极-集电极的击穿电压 Emitter-Collector Breakdown Voltage |
BVECO |
IC= 100μA Ee=0mW/cm2 |
5 |
-- |
-- |
V |
|
集电极-发射极的工作电压 Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
IC=2mA Ee=1mW/cm2 |
-- |
-- |
0.4 |
V |
|
上升时间 Rise Time |
tr |
VCE=5V IC= 1mA RL= 1000Ω |
-- |
15 |
-- |
μS |
|
下降时间 Fall Time |
tf |
-- |
15 |
-- |
||
|
集电极暗电流 Collector Dark Current |
ICEO |
Ee=0mW/cm2 VCE=20V |
-- |
-- |
100 |
nA |
|
集电极电流 On State Collector Current |
IC(ON) |
Ee=1mW/cm2 VCE=5V |
0.95 |
-- |
4.85 |
mA |
|
感应波长范围 Rang of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
-- |
760 |
-- |
1100 |
nm |
|
峰值感应波长 Wavelength of Peak Sensitivity |
λP |
-- |
-- |
940 |
-- |
nm |